Tranzistor IGBT STGF10NB60SDParametry:- Napětí kolektor-emitor: 600V
- Proud kolektoru: 23A
- Ztrátový výkon: 25W
- Pouzdro: TO220FP
- Napětí hradlo-emitor: ±20V
- Impulsní proud kolektoru: 80A
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 33nC
Popis:Tranzistor IGBT STGF10NB60SD je speciálně navržen pro řízení krokových motorů a třífázových pohonů. Tento výkonový tranzistor, vyrobený firmou STMicroelectronics, disponuje integrovanou anti-paralelní diodou, což zajišťuje efektivní provoz a spolehlivost v aplikacích s vysokými nároky na výkon. Je ideální pro použití v různých technických aplikacích, kde je potřeba vysoké napětí a proud.