Tranzistor 2SK1119 Toshiba N-FET 1000V 4A 100W
Kód zboží:
2000015300
Značka:
Toshiba
Tranzistor 2SK1119 Toshiba N-FET s parametry 1000V, 4A a výkonem 100W. Celý popis
158,00 Kč
bez DPH: 130,58 Kč
Skladem 3 ks
Externí sklad: za 54 dní
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
Tranzistor 2SK1119 Toshiba
N-FET 1000V 4A 100W 2J6
Technické parametry:
- Typ: N-FET
- Napětí: 1000V
- Proud: 4A
- Výkon: 100W
- Pouzdro: 2J6
N-FET 1000V 4A 100W 2J6
Technické parametry:
- Typ: N-FET
- Napětí: 1000V
- Proud: 4A
- Výkon: 100W
- Pouzdro: 2J6