OK, super filtr. :o)
STW10NK80Z výkonový N-kanálový MOSFET 800V 9A TO-247
Kód zboží:
2000007200
Výkonový N-kanálový MOSFET STW10NK80Z 800V 9A s nízkým odporem 0,9Ω v pouzdru TO-247 pro spínané zdroje a výkonové aplikace. Celý popis
129,00 Kč
bez DPH: 106,61 Kč
Skladem 2 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
129,00 Kč
STW10NK80Z výkonový N-kanálový MOSFET 800V 9A TO-247
STW10NK80Z je vysokonapěťový výkonový tranzistor typu N-MOSFET od výrobce STMicroelectronics, vyrobený technologií SuperMESH™. Tento MOSFET je určen pro spínané zdroje, výkonové měniče, napájecí moduly, svařovací techniku, LED zdroje a další aplikace vyžadující vysoké napětí.
Maximální napětí mezi drainem a sourcem je 800 V, trvalý proud drainu dosahuje až 9 A a maximální odpor sepnutého kanálu (RDS(on)) je 0,9 Ω při buzení hradla 10 V. Pouzdro TO-247 umožňuje snadnou montáž na desku plošných spojů i upevnění na chladič. Integrovaná Zenerova ochrana hradla zvyšuje odolnost proti napěťovým špičkám.
Technické parametry:
Doporučení:
Před výměnou ověřte zapojení vývodů, parametry původního MOSFETu, způsob chlazení a požadované spínací vlastnosti obvodu.
STW10NK80Z je vysokonapěťový výkonový tranzistor typu N-MOSFET od výrobce STMicroelectronics, vyrobený technologií SuperMESH™. Tento MOSFET je určen pro spínané zdroje, výkonové měniče, napájecí moduly, svařovací techniku, LED zdroje a další aplikace vyžadující vysoké napětí.
Maximální napětí mezi drainem a sourcem je 800 V, trvalý proud drainu dosahuje až 9 A a maximální odpor sepnutého kanálu (RDS(on)) je 0,9 Ω při buzení hradla 10 V. Pouzdro TO-247 umožňuje snadnou montáž na desku plošných spojů i upevnění na chladič. Integrovaná Zenerova ochrana hradla zvyšuje odolnost proti napěťovým špičkám.
Technické parametry:
- Označení výrobce: STW10NK80Z
- Výrobce: STMicroelectronics
- Typ: výkonový unipolární tranzistor MOSFET
- Kanál: N-kanál
- Technologie: SuperMESH™
- Maximální napětí drain–source: 800 V
- Trvalý proud drainu: 9 A
- Odpor sepnutého kanálu RDS(on): max. 0,9 Ω, typicky 0,78 Ω
- Maximální ztrátový výkon: 160 W
- Maximální napětí gate–source: ±30 V
- Pouzdro: TO-247, 3 vývody
- Montáž: THT / průchozí montáž
- Provedení: Zenerem chráněný MOSFET
- Využití: spínané napájecí zdroje, výkonové spínání a vysokonapěťové měniče
Doporučení:
Před výměnou ověřte zapojení vývodů, parametry původního MOSFETu, způsob chlazení a požadované spínací vlastnosti obvodu.
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
