SIHA11N80E-GE3
Kód zboží:
2000022800
Značka:
Vishay
N-FET tranzistor s napětím 800V, proudem 12A a výkonem 34W. Celý popis
209,00 Kč
bez DPH: 172,73 Kč
Skladem 3 ks
Externí sklad: za 89 dní
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
SIHA11N80E-GE3 N-FET 800V 12A 34W
Technické parametry:
Technické parametry:
- Napětí Drain Source Vds: 800V
- Trvalý Proud Drainu Id: 12A
- Odpor Drain-Source při Zapnutí: 0.38ohm
- Rds(on) Testovací Napětí Vgs: 10V
- Prahové Napětí Vgs: 4V
- Rozptýlený Výkon: 34W
- Počet Pinů: 3Pinů
- Provozní Teplota Max: 150°C