N-MOSFET Tranzistor IRFBG30 TO220AB 1kV 2A 125W
Kód zboží:
2000268600
Značka:
Vishay
N-MOSFET tranzistor IRFBG30 s parametry 1kV, 2A, 125W v pouzdře TO220AB. Celý popis
78,00 Kč
bez DPH: 64,46 Kč
Skladem 8 ks
Externí sklad: za 19 dní
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Polarizace: unipolární
- Napětí drain-source: 1kV
- Proud drainu: 2A
- Ztrátový výkon: 125W
- Pouzdro: TO220AB
- Napětí gate-source: ±20V
- Odpor v sepnutém stavu: 5Ω
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 80nC