N-MOSFET tranzistor IRFB260N / IRFB260NPBF
Kód zboží:
2000268500
N-MOSFET tranzistor s napětím 200V, proudem 56A a výkonem 380W v pouzdře TO220AB. Celý popis
80,00 Kč
bez DPH: 66,12 Kč
Skladem 13 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-MOSFET tranzistor IRFB260N / IRFB260NPBF
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 200V
Proud drainu: 56A
Ztrátový výkon: 380W
Kryt: TO220AB
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 40mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 150nC
Druh kanálu: obohacený
Technické parametry:
- Napětí drain-source: 200V
- Proud drainu: 56A
- Ztrátový výkon: 380W
- Kryt: TO220AB
- Napětí gate-source: ±20V
- Odpor v sepnutém stavu: 40mΩ
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 150nC
- Druh kanálu: obohacený
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 200V
Proud drainu: 56A
Ztrátový výkon: 380W
Kryt: TO220AB
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 40mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 150nC
Druh kanálu: obohacený
Technické parametry:
- Napětí drain-source: 200V
- Proud drainu: 56A
- Ztrátový výkon: 380W
- Kryt: TO220AB
- Napětí gate-source: ±20V
- Odpor v sepnutém stavu: 40mΩ
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 150nC
- Druh kanálu: obohacený