N-MOSFET Tranzistor IRF2807PBF 75V 82A 200W TO220AB
Kód zboží:
2000268200
Značka:
Infineon
N-MOSFET tranzistor IRF2807PBF s parametry 75V, 82A, 200W v pouzdře TO220AB. Celý popis
59,00 Kč
bez DPH: 48,76 Kč
Skladem 17 ks
Externí sklad: za 8 dní
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-MOSFET Tranzistor IRF2807PBF
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 75V
Proud drainu: 82A
Ztrátový výkon: 200W
Pouzdro: TO220AB
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 13mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 106,7nC
Technické parametry:
- N-MOSFET
- Napětí drain-source: 75V
- Proud drainu: 82A
- Ztrátový výkon: 200W
- Pouzdro: TO220AB
- Napětí gate-source: ±20V
- Odpor v sepnutém stavu: 13mΩ
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 106,7nC
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 75V
Proud drainu: 82A
Ztrátový výkon: 200W
Pouzdro: TO220AB
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 13mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 106,7nC
Technické parametry:
- N-MOSFET
- Napětí drain-source: 75V
- Proud drainu: 82A
- Ztrátový výkon: 200W
- Pouzdro: TO220AB
- Napětí gate-source: ±20V
- Odpor v sepnutém stavu: 13mΩ
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 106,7nC