N-MOSFET tranzistor IPA60R190P6XKSA1, 600V, 20,2A, 34W, TO220FP
Kód zboží:
2000199800
N-MOSFET tranzistor IPA60R190P6XKSA1 s parametry 600V, 20,2A a 34W v pouzdře TO220FP. Celý popis
78,00 Kč
bez DPH: 64,46 Kč
Skladem 4 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-MOSFET tranzistor IPA60R190P6XKSA1
Tranzistor typu N-MOSFET s pokročilou technologií CoolMOS™ P6. Tento tranzistor je určen pro široké spektrum aplikací, kde je požadována vysoká spolehlivost a efektivita.
Technické parametry:
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: CoolMOS™ P6
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 600V
Proud drainu: 20,2A
Ztrátový výkon: 34W
Pouzdro: TO220FP
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 0,19Ω
Montáž: THT
Druh kanálu: obohacený
Tranzistor typu N-MOSFET s pokročilou technologií CoolMOS™ P6. Tento tranzistor je určen pro široké spektrum aplikací, kde je požadována vysoká spolehlivost a efektivita.
Technické parametry:
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: CoolMOS™ P6
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 600V
Proud drainu: 20,2A
Ztrátový výkon: 34W
Pouzdro: TO220FP
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 0,19Ω
Montáž: THT
Druh kanálu: obohacený