N-MOSFET IRF3710PBF 100V 57A 200W TO220AB
Kód zboží:
2000233300
N-MOSFET IRF3710PBF s napětím 100V, proudem 57A a výkonem 200W v pouzdře TO220AB. Celý popis
43,00 Kč
bez DPH: 35,54 Kč
Skladem 25 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-MOSFET IRF3710PBF 100V 57A 200W
Tranzistor IRF3710PBF je N-MOSFET typu HEXFET od výrobce Infineon. Je určen pro široké spektrum aplikací, kde je vyžadována vysoká efektivita a spolehlivost.
Technické parametry:
Tranzistor IRF3710PBF je N-MOSFET typu HEXFET od výrobce Infineon. Je určen pro široké spektrum aplikací, kde je vyžadována vysoká efektivita a spolehlivost.
Technické parametry:
- Napětí drain-source: 100V
- Proud drainu: 57A
- Výkon: 200W
- Pouzdro: TO220AB
- Napětí gate-source: 20V
- Odpor v sepnutém stavu: 23mΩ
- Tepelný odpor přechod-pouzdro: 0.75K/W
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 86.7nC