N-MOSFET IPW60R125P6 600V 30A 219W
Kód zboží:
2000203000
Značka:
Infineon
N-MOSFET IPW60R125P6 s parametry 600V, 30A a výkonem 219W, ideální pro výkonové aplikace. Celý popis
228,00 Kč
bez DPH: 188,43 Kč
Skladem 3 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-MOSFET IPW60R125P6 600V 30A 219W
Přímá náhrada typu FSW25N50A s dostatečnou rezervou, určená pro použití ve výkonných invertorech a impulzních zdrojích.
Technické parametry:
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 600V
Proud drainu: 30A
Výkon: 219W
Pouzdro: PG-TO247
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 125mΩ
Montáž: THT
Technologie: CoolMOS™ P6
Přímá náhrada typu FSW25N50A s dostatečnou rezervou, určená pro použití ve výkonných invertorech a impulzních zdrojích.
Technické parametry:
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 600V
Proud drainu: 30A
Výkon: 219W
Pouzdro: PG-TO247
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 125mΩ
Montáž: THT
Technologie: CoolMOS™ P6