N-MOSFET 10N60M2, STF10N60M2 - 600V, 7.5A, 25W, TO-220FP
Kód zboží:
2000149500
N-MOSFET 600V, 7.5A, 25W, 0,6Ω v pouzdru TO-220FP, ideální pro výkonové aplikace. Celý popis
310,00 Kč
bez DPH: 256,20 Kč
Skladem 7 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-MOSFET 10N60M2, STF10N60M2
Parametry:
Výrobce: STMicroelectronics
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 600V
Proud drainu: 7,5A
Impulsní proud kolektoru: 30A
Ztrátový výkon: 25W
Kryt: TO220FP
Napětí gate-source: ±25V
Odpor v sepnutém stavu: 0,6Ω
Montáž: THT
Náboj hradla: 13,5nC
Druh kanálu: obohacený
Technické parametry:
- Napětí drain-source: 600V - Proud drainu: 7,5A - Impulsní proud kolektoru: 30A - Ztrátový výkon: 25W - Odpor v sepnutém stavu: 0,6Ω - Napětí gate-source: ±25V - Kryt: TO220FP - Montáž: THT - Náboj hradla: 13,5nC - Druh kanálu: obohacený
Parametry:
Výrobce: STMicroelectronics
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 600V
Proud drainu: 7,5A
Impulsní proud kolektoru: 30A
Ztrátový výkon: 25W
Kryt: TO220FP
Napětí gate-source: ±25V
Odpor v sepnutém stavu: 0,6Ω
Montáž: THT
Náboj hradla: 13,5nC
Druh kanálu: obohacený
Technické parametry:
- Napětí drain-source: 600V - Proud drainu: 7,5A - Impulsní proud kolektoru: 30A - Ztrátový výkon: 25W - Odpor v sepnutém stavu: 0,6Ω - Napětí gate-source: ±25V - Kryt: TO220FP - Montáž: THT - Náboj hradla: 13,5nC - Druh kanálu: obohacený