N-FET 2SK2611 900V 9A 150W
Kód zboží:
2000244900
Značka:
Toshiba
N-FET tranzistor 900V, 9A, 150W, model 2SK2611. Celý popis
261,00 Kč
bez DPH: 215,70 Kč
Skladem 3 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-FET 2SK2611 900V 9A 150W
Tento N-FET tranzistor je navržen pro aplikace vyžadující vysoké napětí a výkon. S maximálním napětím 900V a proudem 9A je ideální pro různé elektronické obvody.
Technické parametry:
Maximální napětí: 900V
Maximální proud: 9A
Maximální výkon: 150W
Model: 1J1
Kompatibilita:
2SK2610
Tento N-FET tranzistor je navržen pro aplikace vyžadující vysoké napětí a výkon. S maximálním napětím 900V a proudem 9A je ideální pro různé elektronické obvody.
Technické parametry:
Maximální napětí: 900V
Maximální proud: 9A
Maximální výkon: 150W
Model: 1J1
Kompatibilita:
2SK2610