MDD1951RH N-FET 60V 17,9A 33W
Kód zboží:
2000315900
N-FET tranzistor MDD1951RH s parametry 60V, 17,9A a 33W pro impulzní zdroje. Celý popis
56,00 Kč
bez DPH: 46,28 Kč
Skladem 7 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
MDD1951RH N-FET 60V 17,9A 33W
Tranzistor MDD1951RH je vysoce výkonný N-FET s napětím 60V a maximálním proudem 17,9A. Je navržen pro použití v DC/CD impulzních zdrojích, kde jeho extrémní rychlost a účinnost nemají adekvátní náhradu. Tento tranzistor se vyznačuje nízkými ztrátami a vysokou spolehlivostí, což z něj činí ideální volbu pro moderní elektronické aplikace.
Technické parametry:
Napětí: 60V
Proud: 17,9A
Výkon: 33W
Model: 0J045
Tranzistor MDD1951RH je vysoce výkonný N-FET s napětím 60V a maximálním proudem 17,9A. Je navržen pro použití v DC/CD impulzních zdrojích, kde jeho extrémní rychlost a účinnost nemají adekvátní náhradu. Tento tranzistor se vyznačuje nízkými ztrátami a vysokou spolehlivostí, což z něj činí ideální volbu pro moderní elektronické aplikace.
Technické parametry:
Napětí: 60V
Proud: 17,9A
Výkon: 33W
Model: 0J045