funguje, rozmrěy dle popisu.
IRLR3110ZPBF N-MOSFET 100V 63A 140W DPAK
Kód zboží:
2000161800
Novinka
N-MOSFET tranzistor IRLR3110ZPBF s napětím 100V, proudem 63A a ztrátovým výkonem 140W v pouzdru DPAK pro SMD montáž. Celý popis
67,00 Kč
bez DPH: 55,37 Kč
Není skladem
Možnosti doručení
Momentálně nedostupné na prodejnách
67,00 Kč
Popis produktu:
IRLR3110ZPBF je N-MOSFET tranzistor vyrobený společností Infineon Technologies s technologií HEXFET®. Tento unipolární tranzistor je určen pro spínací a výkonové aplikace s vysokým proudem a napětím.
Technické parametry:
IRLR3110ZPBF je N-MOSFET tranzistor vyrobený společností Infineon Technologies s technologií HEXFET®. Tento unipolární tranzistor je určen pro spínací a výkonové aplikace s vysokým proudem a napětím.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Technologie: HEXFET®
- Polarizace: unipolární
- Napětí drain-source: 100 V
- Proud drainu: 63 A
- Ztrátový výkon: 140 W
- Kryt: DPAK
- Montáž: SMD
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
