IRF3710S N-MOSFET tranzistor 100V 57A 200W D2PAK
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 100V
Proud drainu: 57A
Ztrátový výkon: 200W
Kryt: D2PAK
Montáž: SMD
Druh kanálu: obohacený
Technické parametry:
- Napětí drain-source: 100V
- Proud drainu: 57A
- Ztrátový výkon: 200W
- Kryt: D2PAK
- Montáž: SMD
- Druh kanálu: obohacený