Technické parametry:
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 75V
Proud drainu: 130A
Ztrátový výkon: 330W
Pouzdro: TO220AB
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 7,8mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 160Nc