Infineon SPP11N80C3 N-MOSFET 800V 11A 156W
Kód zboží:
2000200000
Značka:
Infineon
Infineon SPP11N80C3 N-MOSFET s parametry 800V, 11A a 156W pro efektivní řízení výkonu. Celý popis
165,00 Kč
bez DPH: 136,36 Kč
Skladem 3 ks
Externí sklad: za 8 dní
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
Infineon SPP11N80C3 N-MOSFET 800V 11A 156W
SPECIFIKACE:
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: CoolMOS™
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 800V
Proud drainu: 11A
Ztrátový výkon: 156W
Pouzdro: PG-TO220-3
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 0.45Ω
Montáž: THT
Technické parametry:
- Napětí drain-source: 800V
- Proud drainu: 11A
- Ztrátový výkon: 156W
- Odpor v sepnutém stavu: 0.45Ω
- Napětí gate-source: ±20V
- Pouzdro: PG-TO220-3
- Montáž: THT
SPECIFIKACE:
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: CoolMOS™
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 800V
Proud drainu: 11A
Ztrátový výkon: 156W
Pouzdro: PG-TO220-3
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 0.45Ω
Montáž: THT
Technické parametry:
- Napětí drain-source: 800V
- Proud drainu: 11A
- Ztrátový výkon: 156W
- Odpor v sepnutém stavu: 0.45Ω
- Napětí gate-source: ±20V
- Pouzdro: PG-TO220-3
- Montáž: THT