funguje, rozmrěy dle popisu.
Infineon IPA60R180P7SXKSA1 N-MOSFET 600V 18A TO220FP
Kód zboží:
2000200100
Výkonový N-kanálový MOSFET Infineon CoolMOS P7 600V, 18A, 180mΩ, TO220FP pro spínané zdroje a průmyslovou elektroniku. Celý popis
57,00 Kč
bez DPH: 47,11 Kč
Skladem 3 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
57,00 Kč
Infineon IPA60R180P7SXKSA1 / 60S180P7 N-MOSFET tranzistor
Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor Infineon z řady CoolMOS™ P7 je určen pro spínané napájecí zdroje, měniče, nabíječky, LED zdroje a průmyslovou elektroniku. Má maximální napětí drain–source 600 V, maximální proud 18 A a nízký odpor sepnutého kanálu RDS(on) 180 mΩ.
Technologie superjunction CoolMOS P7 snižuje spínací a vodivé ztráty, čímž zvyšuje účinnost a snižuje zahřívání výkonové části obvodu. Tranzistor je v izolovaném pouzdře PG-TO-220 FullPAK s třemi vývody pro průchozí montáž (THT). Izolované pouzdro umožňuje bezpečnou montáž na chladič s elektrickým oddělením.
Technické parametry:
Kompatibilita:
Při výběru náhrady vždy ověřte označení součástky, zapojení vývodů, parametry řídicího obvodu, chlazení a elektrické hodnoty původního MOSFETu.
Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor Infineon z řady CoolMOS™ P7 je určen pro spínané napájecí zdroje, měniče, nabíječky, LED zdroje a průmyslovou elektroniku. Má maximální napětí drain–source 600 V, maximální proud 18 A a nízký odpor sepnutého kanálu RDS(on) 180 mΩ.
Technologie superjunction CoolMOS P7 snižuje spínací a vodivé ztráty, čímž zvyšuje účinnost a snižuje zahřívání výkonové části obvodu. Tranzistor je v izolovaném pouzdře PG-TO-220 FullPAK s třemi vývody pro průchozí montáž (THT). Izolované pouzdro umožňuje bezpečnou montáž na chladič s elektrickým oddělením.
Technické parametry:
- Výrobce: Infineon Technologies
- Objednací číslo: IPAN60R180P7SXKSA1
- Řada: CoolMOS™ P7
- Typ součástky: výkonový MOSFET tranzistor
- Kanál: N-kanál
- Režim: enhancement mode
- Maximální napětí drain–source (VDS): 600 V
- Maximální trvalý proud drain (ID): 18 A
- Odpor kanálu v sepnutém stavu RDS(on): 180 mΩ
- Pouzdro: PG-TO-220 FullPAK, 3 vývody
- Montáž: THT / průchozí montáž
- Použití: spínané zdroje, PFC obvody, výkonové měniče, LED napájení, průmyslové zdroje a výkonová elektronika
Kompatibilita:
- Používá se ve zdrojích TV Samsung
Při výběru náhrady vždy ověřte označení součástky, zapojení vývodů, parametry řídicího obvodu, chlazení a elektrické hodnoty původního MOSFETu.
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
