IGBT Tranzistor RGS30TSX2GC11 - 1200V, 30A, 259W
Kód zboží:
2000022200
Značka:
ROHM
IGBT tranzistor RGS30TSX2GC11 s parametry 1200V, 30A a 259W pro náročné aplikace. Celý popis
200,00 Kč
bez DPH: 165,29 Kč
Skladem 11 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
IGBT Tranzistor RGS30TSX2GC11 - 1200V, 30A, 259W
RGS30TSX2GC11 je výkonný IGBT tranzistor určený pro náročnější aplikace. Tento tranzistor nabízí vysokou spínací rychlost a je ideální pro použití v různých průmyslových zařízeních.
Technické parametry:
- Napětí: 1200V
- Proud: 30A
- Výkon: 259W
RGS30TSX2GC11 je výkonný IGBT tranzistor určený pro náročnější aplikace. Tento tranzistor nabízí vysokou spínací rychlost a je ideální pro použití v různých průmyslových zařízeních.
Technické parametry:
- Napětí: 1200V
- Proud: 30A
- Výkon: 259W