FGH50N6S2D IGBT Tranzistor
Parametry:
600V
75A
463W
Popis:
FGH50N6S2D je výkonný IGBT tranzistor určený pro použití v invertorech, které pracují na vyšších frekvencích. Jeho robustní konstrukce a vysoké elektrické parametry zajišťují spolehlivý provoz v náročných aplikacích. Vhodný pro široké spektrum výkonových aplikací.
Technické parametry:
Napětí: 600V
Proud: 75A
Výkon: 463W