FGH40N60 IGBT Tranzistor
Typ tranzistoru: IGBT
Výrobce: ONSEMI
Napětí kolektor-emitor: 600V
Proud kolektoru: 40A
Ztrátový výkon: 174W
Pouzdro: TO247-3
Napětí hradlo-emitor: ±20V
Impulsní proud kolektoru: 120A
Montáž: THT
Náboj hradla: 180nC
Vlastností polovodičových součástek: integrovaná antiparalelní dioda
Technické parametry:
- Napětí kolektor-emitor: 600V
- Proud kolektoru: 40A
- Ztrátový výkon: 174W
- Pouzdro: TO247-3
- Napětí hradlo-emitor: ±20V
- Impulsní proud kolektoru: 120A
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 180nC
- Vlastnosti: integrovaná antiparalelní dioda