FDP18N50 N-MOSFET 500V 10,8A 235W TO220
Kód zboží:
2000187900
N-MOSFET s napětím 500V, proudem 10,8A a výkonem 235W v pouzdru TO220. Celý popis
104,00 Kč
bez DPH: 85,95 Kč
Skladem 5 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
FDP18N50 N-MOSFET 500V 10,8A 235W TO220
Tranzistor FDP18N50 je N-MOSFET s vysokým napětím a výkonem, ideální pro různé aplikace v oblasti polovodičových součástek.
Technické parametry:
Výrobce: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 500V
Proud drainu: 10.8A
Výkon: 235W
Pouzdro: TO220
Napětí gate-source: ±30V
Odpor v sepnutém stavu: 265mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 60nC
Technologie: UniFET™
Tranzistor FDP18N50 je N-MOSFET s vysokým napětím a výkonem, ideální pro různé aplikace v oblasti polovodičových součástek.
Technické parametry:
Výrobce: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 500V
Proud drainu: 10.8A
Výkon: 235W
Pouzdro: TO220
Napětí gate-source: ±30V
Odpor v sepnutém stavu: 265mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 60nC
Technologie: UniFET™