AOK60B65H2AL / K60B65H2A
Kód zboží:
2000021700
IGBT tranzistor s napětím 650V a proudem 60A, výkon 166W. Celý popis
83,00 Kč
bez DPH: 68,60 Kč
Není skladem
Možnosti doručení
Momentálně nedostupné na prodejnách
IGBT Tranzistor AOK60B65H2AL / K60B65H2A 650V 60A
IGBT 650V 60A 166W
Popis a parametry:
Výrobce: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Typ tranzistoru: IGBT
Napětí kolektor-emitor: 650V
Proud kolektoru: 60A
Ztrátový výkon: 166W
Kryt: TO247
Napětí hradlo - emitor: ±30V
Impulsní proud kolektoru: 180A
Montáž: THT
Náboj hradla: 84nC
Druh balení: tuba
Doba přítahu: 113ns
Doba odpadu: 270ns
Saturační napětí kol.-emit.: 1,95V
Vypínací energie: 1,17mJ
Zapínací energie: 2,36mJ
Technické parametry:
- Napětí kolektor-emitor: 650V
- Proud kolektoru: 60A
- Ztrátový výkon: 166W
- Kryt: TO247
- Napětí hradlo - emitor: ±30V
- Impulsní proud kolektoru: 180A
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 84nC
- Doba přítahu: 113ns
- Doba odpadu: 270ns
- Saturační napětí kol.-emit.: 1,95V
- Vypínací energie: 1,17mJ
- Zapínací energie: 2,36mJ
IGBT 650V 60A 166W
Popis a parametry:
Výrobce: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Typ tranzistoru: IGBT
Napětí kolektor-emitor: 650V
Proud kolektoru: 60A
Ztrátový výkon: 166W
Kryt: TO247
Napětí hradlo - emitor: ±30V
Impulsní proud kolektoru: 180A
Montáž: THT
Náboj hradla: 84nC
Druh balení: tuba
Doba přítahu: 113ns
Doba odpadu: 270ns
Saturační napětí kol.-emit.: 1,95V
Vypínací energie: 1,17mJ
Zapínací energie: 2,36mJ
Technické parametry:
- Napětí kolektor-emitor: 650V
- Proud kolektoru: 60A
- Ztrátový výkon: 166W
- Kryt: TO247
- Napětí hradlo - emitor: ±30V
- Impulsní proud kolektoru: 180A
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 84nC
- Doba přítahu: 113ns
- Doba odpadu: 270ns
- Saturační napětí kol.-emit.: 1,95V
- Vypínací energie: 1,17mJ
- Zapínací energie: 2,36mJ